联发科首批2纳米制程芯片设计成功，预计2026年底上市，性能功耗双提升
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联发科近日宣布，其基于台积电2纳米制程技术的旗舰系统单芯片（SoC）已完成设计流片，标志着该公司成为全球首批掌握这一先进制程技术的企业之一。据内部消息，该芯片预计将于2026年底正式投入商用，为高端移动设备及智能终端提供更强劲的性能支持。
台积电此次推出的2纳米制程技术采用了创新的纳米片（Nanosheet）晶体管结构。相较于传统技术，这一结构在性能、功耗控制及良品率方面均实现了显著提升，为芯片设计提供了更灵活的优化空间。联发科作为首批合作方，将率先应用该技术打造新一代旗舰芯片。
根据技术参数对比，台积电的增强版2纳米制程在逻辑密度上较现有N3E制程提升了1.2倍。在性能表现方面，该技术可在同等功耗下实现最高18%的性能提升，或在相同运行速度下降低约36%的功耗。这一突破性进展有望推动移动设备在续航、算力及散热等关键指标上实现质的飞跃。
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